RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Сравнить
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
25
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.0
5.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
12.3
Скорость записи, Гб/сек
8.0
5.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2269
1966
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link