RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Сравнить
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.8
Скорость записи, Гб/сек
8.0
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2269
2795
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link