RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Сравнить
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
34
Около 32% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
34
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.5
Скорость записи, Гб/сек
8.0
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2269
3199
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link