RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
10
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
63
Около -110% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.5
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
10.0
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2234
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link