RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
INTENSO M418039 8GB
Сравнить
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против INTENSO M418039 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Средняя оценка
INTENSO M418039 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.0
7.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
INTENSO M418039 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
23
Около -15% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
INTENSO M418039 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
20
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.0
Скорость записи, Гб/сек
8.0
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2269
2414
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
INTENSO M418039 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link