RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
INTENSO M418039 8GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs INTENSO M418039 8GB

总分
star star star star star
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

总分
star star star star star
INTENSO M418039 8GB

INTENSO M418039 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB 需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.0 left arrow 7.4
    测试中的平均数值
INTENSO M418039 8GB 需要考虑的原因
INTENSO M418039 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    20 left arrow 23
    左右 -15% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16 left arrow 13.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
INTENSO M418039 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    23 left arrow 20
  • 读取速度，GB/s
    13.4 left arrow 16.0
  • 写入速度，GB/s
    8.0 left arrow 7.4
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2269 left arrow 2414

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较

Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB

INTENSO M418039 8GB RAM的比较

Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
INTENSO M418039 8GB
INTENSO M418039 8GB
内存RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
内存RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
内存RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
内存RAM
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
内存RAM
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
内存RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
内存RAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
内存RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
内存RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
内存RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
内存RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
内存RAM
AMD AE34G2139U2 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
内存RAM