Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB против Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB

Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB

Средняя оценка

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB

Причины выбрать
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

8.2 8.1

Среднее значение в тестах

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Причины выбрать
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

42 43

Около -2% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

43 42
Скорость чтения, Гб/сек

13.9 13.9
Скорость записи, Гб/сек

8.2 8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 12800

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2216 2150

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB

модули RAM

Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB

Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Kingston KWTHG4-MIE 16GB

Kingston KWTHG4-MIE 16GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB

Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Micron Technology AFLD44EK2P 4GB

Micron Technology AFLD44EK2P 4GB

модули RAM

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB

Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB

модули RAM

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB

модули RAM

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB

Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB

модули RAM

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB

A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB

модули RAM

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB

Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB

A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB

модули RAM

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

модули RAM