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Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
比较
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB vs Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
总分
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
总分
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.2
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
43
左右 -2% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
43
42
读取速度,GB/s
13.9
13.9
写入速度,GB/s
8.2
8.1
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2216
2150
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB RAM的比较
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
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G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
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