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Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB vs Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Gesamtnote
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
43
Rund um -2% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
43
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
13.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
8.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2216
2150
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
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