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Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB vs Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Gesamtnote
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
43
Rund um -2% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
43
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
13.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
8.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2216
2150
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
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