RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Сравнить
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
37
Около -23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
16.6
Скорость записи, Гб/сек
8.4
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3155
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link