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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Compara
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
37
En -23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3155
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
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