RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Сравнить
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
37
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
34
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
15.8
Скорость записи, Гб/сек
8.4
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2917
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Inmos + 256MB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link