RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Сравнить
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
37
Около -16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
16.7
Скорость записи, Гб/сек
8.4
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3659
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link