Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB против Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Средняя оценка

Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB

Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Причины выбрать
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Сообщить об ошибке

Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB

Причины выбрать
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

33 39

Около -18% меньшая задержка
Выше скорость чтения

19.7 12.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.8 7.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

39 33
Скорость чтения, Гб/сек

12.8 19.7
Скорость записи, Гб/сек

7.4 14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1770 3671

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB

Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

Kingston 99U5701-049.A00G 16GB

Kingston 99U5701-049.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 9905743-034.A00G 8GB

Kingston 9905743-034.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB

Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB

Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB

A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB

Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB

Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB

модули RAM