RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Сравнить
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
70
Около 47% меньшая задержка
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.8
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
70
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
15.3
Скорость записи, Гб/сек
8.4
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
1971
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
INTENSO 5641152 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link