RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Сравнить
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
37
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость чтения
25.2
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.5
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
25.2
Скорость записи, Гб/сек
8.4
19.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
4167
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link