Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Средняя оценка

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

37 43

Около 14% меньшая задержка

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

14.9 13.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.6 8.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

12800 10600

Около 1.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

37 43
Скорость чтения, Гб/сек

13.2 14.9
Скорость записи, Гб/сек

8.4 9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 12800

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2143 2506

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

модули RAM

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB

модули RAM

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB

Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB

Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB

модули RAM

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB

V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Kingston 9905678-024.A00G 4GB

Kingston 9905678-024.A00G 4GB

модули RAM