RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Сравнить
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
37
Около -28% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.8
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
18.8
Скорость записи, Гб/сек
8.4
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3611
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link