RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Сравнить
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB против Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
41
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
38
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
16.6
Скорость записи, Гб/сек
8.3
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2176
2961
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link