Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB против Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Средняя оценка

Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB

Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Сообщить об ошибке

Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB

Причины выбрать
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

17 41

Около -141% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.9 13.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

17.0 8.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

41 17
Скорость чтения, Гб/сек

13.3 18.9
Скорость записи, Гб/сек

8.3 17.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2176 4089

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB

Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB

модули RAM

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB

Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB

модули RAM

Kingston 9965516-049.A00LF 8GB

Kingston 9965516-049.A00LF 8GB

SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB

Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB

Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB

модули RAM

SanMax Technologies Inc. SMD3L-U4G28HA-16K 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD3L-U4G28HA-16K 4GB

INTENSO 5641160 8GB

INTENSO 5641160 8GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB

A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB

модули RAM

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB

Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB

модули RAM