Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Средняя оценка

Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB

Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 64

Около 56% меньшая задержка

Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB

Причины выбрать
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

17.6 12.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8.3 7.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 8500

Около 2.51 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

28 64
Скорость чтения, Гб/сек

12.7 17.6
Скорость записи, Гб/сек

7.5 8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

8500 21300

Other

Описание

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1066 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1988 2107

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB

Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB

A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB

модули RAM

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB

Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB

Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB

модули RAM

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB

A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB

Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB

Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB

модули RAM

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB

V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB

модули RAM