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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
64
左右 56% 更低的延时
需要考虑的原因
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
64
读取速度,GB/s
12.7
17.6
写入速度,GB/s
7.5
8.3
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2107
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
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