RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
64
Intorno 56% latenza inferiore
Motivi da considerare
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.3
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
64
Velocità di lettura, GB/s
12.7
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2107
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link