RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
37
Около 24% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
8500
Около 3.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
37
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
16.9
Скорость записи, Гб/сек
7.5
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
25600
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3170
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link