RAM-Vergleich Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Gesamtnote

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

28 37

Rund um 24% geringere Latenzzeit

Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

16.9 12.7

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

13.8 7.5

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

25600 8500

Rund um 3.01 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1066 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1988 3170

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns