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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

総合得点
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

総合得点
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Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 37
    周辺 24% 低遅延
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB 考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.9 left arrow 12.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.8 left arrow 7.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 8500
    周辺 3.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 37
  • 読み出し速度、GB/s
    12.7 left arrow 16.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.5 left arrow 13.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1988 left arrow 3170

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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
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メモリRAM
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
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V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
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メモリRAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
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メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
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