RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
37
Около 24% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
37
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
15.8
Скорость записи, Гб/сек
7.5
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3373
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Mushkin 991586 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link