RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
42
Около 33% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.9
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
42
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
12.9
Скорость записи, Гб/сек
7.5
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3126
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link