RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
42
Por volta de 33% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.9
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
42
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
12.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
12.5
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
3126
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link