RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
31
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
22.3
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
20.0
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
22.3
Скорость записи, Гб/сек
7.5
20.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
4051
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
SK Hynix V-GeN D3H8GL1600RN 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link