RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.3
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.0
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
22.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
20.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
4051
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link