RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
39
Около 28% меньшая задержка
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
39
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
17.5
Скорость записи, Гб/сек
7.5
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2600
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link