RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Сравнить
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB против SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.5
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.8
6.9
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
43
43
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
12.5
Скорость записи, Гб/сек
6.9
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
12800
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1647
1993
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link