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Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
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Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB vs SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
総合得点
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
総合得点
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
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考慮すべき理由
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
12.5
10.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.8
6.9
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
43
43
読み出し速度、GB/s
10.6
12.5
書き込み速度、GB/秒
6.9
8.8
メモリ帯域幅、mbps
12800
12800
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1647
1993
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
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0 ns
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