RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Compara
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB vs SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.5
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
6.9
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
43
43
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
12.5
Velocidad de escritura, GB/s
6.9
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1647
1993
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link