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Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Compara
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB vs SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.5
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
6.9
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
43
43
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
12.5
Velocidad de escritura, GB/s
6.9
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1647
1993
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
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Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
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Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
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