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Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
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Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB vs SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Diferenças
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Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Razões a considerar
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.5
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.8
6.9
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
43
43
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
12.5
Velocidade de escrita, GB/s
6.9
8.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
12800
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1647
1993
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
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