Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB

Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB vs SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB

Gesamtnote
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Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB

Gesamtnote
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SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB

Unterschiede

SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.5 left arrow 10.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.8 left arrow 6.9
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    43 left arrow 43
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    10.6 left arrow 12.5
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    6.9 left arrow 8.8
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1647 left arrow 1993
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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