RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Kingston 9905624-022.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
87
Около 68% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.5
6.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.5
12.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
87
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
14.5
Скорость записи, Гб/сек
7.5
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
1583
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link