RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
32
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.5
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
19.5
Скорость записи, Гб/сек
7.5
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3430
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link