RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
49
Около 43% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.7
10.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.7
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
49
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
10.9
Скорость записи, Гб/сек
7.5
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2427
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link