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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
49
左右 43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.7
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.7
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
49
读取速度,GB/s
12.7
10.9
写入速度,GB/s
7.5
8.7
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2427
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
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G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
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