RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
35
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
30
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
16.7
Скорость записи, Гб/сек
9.5
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
3106
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link