RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
35
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
30
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3106
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link