RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
35
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.3
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
26
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
18.2
Скорость записи, Гб/сек
9.5
17.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
3938
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link