Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Средняя оценка

Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB

Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Сообщить об ошибке

Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB

Причины выбрать
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

34 35

Около -3% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.6 14.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.1 9.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

35 34
Скорость чтения, Гб/сек

14.4 15.6
Скорость записи, Гб/сек

9.5 13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2321 3043

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB

Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

Kingston 9905678-173.A00G 8GB

Kingston 9905678-173.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

Kingston 9905622-057.A00G 4GB

Kingston 9905622-057.A00G 4GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB

Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB

A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

A-DATA Technology DDR4 2666 8GB

A-DATA Technology DDR4 2666 8GB

модули RAM

Mushkin 991586 2GB

Mushkin 991586 2GB

Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB

Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB

Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Kingston 9965604-027.D00G 8GB

Kingston 9965604-027.D00G 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB

Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB

модули RAM