RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
35
Около -6% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.3
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
33
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
15.0
Скорость записи, Гб/сек
9.5
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
2478
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingmax Semiconductor KLCD48F-A8KI5 1GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link