RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
35
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
33
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2478
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link