RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
35
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
29
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
16.0
Скорость записи, Гб/сек
9.5
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
3291
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link