RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
46
Около 24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.4
13.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.0
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
46
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
13.7
Скорость записи, Гб/сек
9.5
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
2961
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link