RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
55
Около 36% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
55
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
15.8
Скорость записи, Гб/сек
9.5
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
2701
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link